对玻璃制品进行金属化的方法与流程

对玻璃制品进行金属化的方法
1.本技术根据35 usc
§
119(e)要求于2020年1月6日提交的美国临时申请号62/957,562的优先权，该申请内容通过引用全文纳入本文。


背景技术：

2.多年来，半导体封装技术已经有了重大发展。早期，封装复杂性较高的半导体电路(并因此在给定的封装件中实现较高的功能和性能)的方法是增加封装件中的半导体芯片在两个维度上的尺寸。作为实际的情况，不能无限地横向扩展两个维度，因为设计最终将在功率和信号路由复杂性、功率耗散问题、性能问题、制造产率问题等方面受影响。
3.因此，已经努力垂直扩展半导体芯片。在这些努力中，包括所谓的2.5维(2.5d)和三维(3d)集成，在此情况中使用中介层来使单个封装件中的两个或更多个半导体芯片互连。如本文所用的术语“中介层”一般是指使两个或更多个电子装置之间的电连接延伸或者完整的任何结构。中介层的主要功能是以一定的方式来提供互连性，该方式使得所述两个或更多个半导体芯片可以采用高的端子节距，并避免需要穿过半导体芯片自身的过孔(via)。该技术涉及使半导体芯片从它们的通常构造翻转过来，并且使芯片基材朝上而芯片侧面朝下。芯片具有微凸端子(呈高节距)，它们连接到中介层的顶侧上的对应端子上。中介层的相对的底侧通过合适的端子(通常是可控塌陷芯片连接，c4)连接到封装基材(通常是有机的)。中介层具有通孔，以可以实现从中介层顶侧上的半导体芯片的端子到中介层底侧处的封装基材的端子的电连接。
4.迄今为止，中介层的基底基材通常是硅。穿过基材的金属化过孔提供了通过中介层的路径以使电信号在中介层的相对侧之间通过。虽然硅中介层是实现半导体芯片的垂直集成的有前景且有用的技术，但是硅中介层存在着问题，特别是在整个堆叠体中的热膨胀系数(cte)的错配，包括硅中间层与有机封装基材之间的cte相配方面存在问题。不期望的cte错配可能导致半导体芯片与硅中介层之间的互连失效，和/或硅中介层与封装基材之间的互连失效。此外，硅中介层相对较贵，并且由于硅的半导体性质，其遭受着高的介电损耗。
5.已经引入了有机中介层[例如，阻燃材料4(fr4)]。然而，有机中介层在尺寸稳定性方面同样存在问题。
[0006]
将玻璃作为中介层的基底基材将解决硅和有机中介层存在的许多问题。玻璃是一种极有利于电信号传输的基材材料，因为玻璃具有良好的尺寸稳定性，可调的热膨胀系数(“cte”)，在高频下具有低的电损耗，具有高的热稳定性，以及具有以一定的厚度和大的面板尺寸来形成的能力。
[0007]
然而，存在的一个问题是，迄今为止，用于提供导电通路的玻璃基材的过孔的金属化证明是困难的。一些导电金属(特别是铜)不能很好地粘附于玻璃，包括过孔的主平面表面和侧壁表面。不囿于理论，怀疑导电金属与玻璃的差的结合性是由于将金属保持在一起的结合类型与将玻璃保持在一起的结合类型不同所致。简单来说，玻璃是共价键合的氧化物分子(例如，二氧化硅、氧化铝和氧化硼)的网络。金属由电子的“海洋”组成，这些电子自由移动穿过静止的阳离子原子核的格子。玻璃的结合机理与金属的结合机理完全不同，因
此限制了金属与玻璃之间的粘合。这一问题可通过使金属要结合到的玻璃表面粗糙化来缓解，该粗糙化在金属与玻璃之间提供了机械联锁。然而，使玻璃表面粗糙化可导致额外的问题，这些问题使得该方法变得不那么理想。因此，需要新的方法来解决对旨在用作中介层的玻璃基材的过孔进行金属化，并通常将金属粘附于玻璃基材的问题。


技术实现要素：

[0008]
本公开通过下述步骤来解决问题：(a)选择具有某组成的玻璃基材，所述组成除了二氧化硅之外还包括氧化铝；(b)将第一金属(例如银)的第一层沉积到玻璃基材的期望表面(例如，过孔的侧壁表面)上；(c)对具有第一层的玻璃基材进行热处理；(d)在第一层的上方沉积第二金属(例如铜)的第二层(例如，填充过孔的剩余空隙以使过孔完全金属化)；以及(e)对具有第二层的玻璃基材再次进行热处理。这些热处理步骤使第一金属、第二金属以及来自玻璃基材的铝(或氧化铝)和硅(或二氧化硅)相互混合而形成具有金属区域的玻璃制品(例如中介层)，该金属区域包括第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅。金属区域主要包括第一金属和第二金属，但是也包括氧化铝和二氧化硅。金属区域中的这种基本上相互混合的第一金属、第二金属、氧化铝、二氧化硅使第一金属和第二金属牢固地粘附于玻璃基材。不囿于理论，据认为，在整个金属区域中的相互混合的氧化铝和二氧化硅使得在包括金属区域和玻璃基材的整个玻璃制品中实现了共价键合。
[0009]
根据本公开的第1方面，一种制造玻璃制品的方法包括：在玻璃基材上形成第一金属的第一层，所述玻璃基材包括二氧化硅和氧化铝；使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受第一热处理；在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层；以及使第二金属的第二层经受第二热处理。第一热处理和第二热处理诱导了玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属以及第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。
[0010]
在实施方式中，玻璃基材具有第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面是玻璃基材的主表面并且面向大致相背的方向，并且玻璃基材具有至少一个通过玻璃基材的过孔，所述过孔由从第一表面延伸到第二表面的侧壁表面限定。在实施方式中，第一金属的第一层形成在侧壁表面上。
[0011]
在实施方式中，玻璃基材是碱土金属铝硼硅酸盐基材、碱金属铝硅酸盐玻璃基材、或者碱金属铝硼硅酸盐玻璃基材。在实施方式中，玻璃基材是无碱金属的铝硼硅酸盐玻璃基材。在实施方式中，玻璃基材未经受过使玻璃基材表面粗糙化的程序。
[0012]
在实施方式中，玻璃基材具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：6mol％(摩尔％)至15mol％的al2o3。在实施方式中，玻璃基材具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：64.0mol％至71.0mol％sio2；9.0mol％至12.0mol％al2o3；7.0mol％至12.0mol％b2o3；1.0mol％至3.0mol％mgo；6.0mol％至11.5mol％cao；0mol％至2.0mol％sro；0mol％至0.1mol％bao；以及至少0.01mol％sno2；其中，1.00≤σ[ro]/[al2o3]≤1.25，其中[al2o3]是al2o3的摩尔百分比，并且σ[ro]等于mgo、cao、sro和bao的摩尔百分比的总和。
[0013]
在实施方式中，第一金属基本上由银组成。在实施方式中，第一金属包括银、钯、铂、钌、镍、钴和金中的一种或多种。
[0014]
在实施方式中，在玻璃基材上形成第一金属的第一层包括：用第一金属的纳米颗
粒的悬浮液旋涂玻璃基材。在实施方式中，在玻璃基材上形成第一金属的第一层包括非电解镀覆。
[0015]
在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度。在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃至425℃的温度。在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟或更久的时间。在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟至75分钟的时间。在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃至425℃的温度并持续45分钟至75分钟的时间。
[0016]
在实施方式中，该方法还包括：在形成第一金属的第一层之后并且在第一层的上方形成第二金属的第二层之前，确定第一层具有(a)比预定电导率小的电导率，或者(b)比预定电阻率高的电阻率；以及在第一层的上方非电解镀覆中间金属的中间层。在这样的实施方式中，在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层包括：在中间金属的中间层上形成第二金属的第二层。在这样的实施方式中，第一热处理和第二热处理诱导玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属、中间金属和第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。
[0017]
在实施方式中，在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层包括：在第一层上电镀第二金属的第二层。在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受至少300℃的温度并持续至少20分钟的时间。在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受300℃至400℃的温度并持续至少20分钟的时间。
[0018]
根据本公开的第2方面，一种制造玻璃中介层的方法包括：在玻璃基材的一个或多个过孔的侧壁表面上形成第一金属的第一层，所述玻璃基材包括二氧化硅和氧化铝；使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受第一热处理；在第一金属的第一层的上方电镀第二金属的第二层，以使所述一个或多个过孔完全金属化；以及使第二金属的第二层经受第二热处理，所述第一热处理和所述第二热处理诱导玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一种，第一金属和第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。在实施方式中，第一金属基本上由银组成；并且第二金属包含铜。
[0019]
在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟或更久的时间。在实施方式中，第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟至75分钟的时间。在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受至少300℃的温度并持续至少20分钟的时间。在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受300℃至400℃的温度并持续至少20分钟的时间。
[0020]
在实施方式中，玻璃基材具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：64.0mol％至71.0mol％sio2；9.0mol％至12.0mol％al2o3；7.0mol％至12.0mol％b2o3；1.0mol％至3.0mol％mgo；6.0mol％至11.5mol％cao；0mol％至2.0mol％sro；0mol％至0.1mol％bao；以及至少0.01mol％sno2；其中，1.00≤σ[ro]/[al2o3]≤1.25，其中[al2o3]是al2o3的摩尔百分比，并且σ[ro]等于mgo、cao、sro和bao的摩尔百分比的总和；并且其中，玻璃基材具有
20x10-7
至50x10-7
/℃的热膨胀系数(cte)。
[0021]
根据本公开的第3方面，一种玻璃制品包括：(a)主要包含(以重量百分比计)二氧化硅和氧化铝的玻璃基材；和(b)包含第一金属、第二金属、二氧化硅和氧化铝的金属区域，所述金属区域还包括：(i)主要包含(以重量百分比计)第二金属的子区域α；(ii)主要包含第一金属且第二金属比二氧化硅多、第二金属比氧化铝多的子区域β；以及(iii)以重量百分比计，主要包含第一金属且二氧化硅比第二金属多、氧化铝比第二金属多的子区域γ；其中，在子区域α、子区域β和子区域γ中，子区域γ离玻璃基材最近，并且子区域α离玻璃基材最远。在实施方式中，第一金属基本上由银组成，并且第二金属包含铜。
[0022]
在实施方式中，所述玻璃制品还包括：设置在玻璃基材与子区域γ之间的过渡区域，以重量百分比计，所述过渡区域主要包括二氧化硅且第一金属比氧化铝多。在实施方式中，氧化铝从玻璃基材连续通过子区域α。
[0023]
在实施方式中，所述玻璃制品是中介层，所述中介层包括第一表面，第二表面，在第一表面与第二表面之间的厚度，以及朝向第一表面开放的至少一个过孔，所述至少一个过孔向着第二表面至少部分延伸通过所述厚度，每个过孔完全金属化并且金属区域围绕中心轴线设置。
[0024]
在以下的具体实施方式中给出了其他特征和优点，其中的部分特征和优点对本领域的技术人员而言，根据所作描述就容易看出，或者通过实施包括以下具体实施方式、权利要求书以及附图在内的本文所述的各个实施方式而被认识。
[0025]
应理解，前面的一般性描述和以下的具体实施方式都仅仅是示例性的，并且旨在提供用于理解权利要求的性质和特性的总体评述或框架。所附附图提供了进一步理解，附图被结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了一个或多个实施方式，并与说明书一起用来解释各个实施方式的原理和操作。
附图说明
[0026]
在附图中：
[0027]
图1是要被转变成中介层的玻璃基材的透视图，该图示出了第一表面通过厚度与第二表面分离，以及延伸到厚度中过孔并且在第一主表面处的开口的过孔；
[0028]
图2是沿着图1的线ii-ii截取的截面的立面图，该图示出了一些过孔一直延伸通过玻璃基材的厚度并且在第一表面和第二表面处均开口，以及限定了每个过孔的侧壁表面；
[0029]
图3是由玻璃基材(例如，图1的玻璃基材)制造玻璃制品的方法的流程图；
[0030]
图4是在图3的方法中的在玻璃基材上(尤其是在过孔的侧壁表面上)形成第一金属的第一层的步骤之后，图2的区域iv的立视图；
[0031]
图5是与图4相同的视图，但是是在图3的方法中的在第一金属的第一层上方非电解镀覆中间金属的中间层的步骤之后的视图；
[0032]
图6是与图5相同的视图，但是是在图3的方法中的在第一金属的第一层上方形成第二金属的第二层的步骤之后的视图；
[0033]
图7是与图5相同的视图，但是是在图3的方法中的在中间金属的中间层上形成第二金属的第二层的步骤之后的视图；
[0034]
图8是与图6和7相同的视图，但是是在图3的方法中的使第二层经受热处理以得到包括金属区的玻璃制品的步骤之后的视图，所述金属区包括第一金属、第二金属、中间金属(如果添加中间层)、氧化铝和二氧化硅。
[0035]
图9是通过图3的方法制造的玻璃制品内的各个化学元素的相对重量百分比作为玻璃制品内的位置的函数的图表，其示出了(i)主要包括二氧化硅和氧化铝的玻璃基材，(ii)主要包括(以重量百分比计)第二金属的金属区域的子区域α，(iii)主要包括(以重量百分比计)第一金属且第二金属比二氧化硅多、第二金属比氧化铝多的子区域β；以及(iv)以重量百分比计，主要包括第一金属且二氧化硅比第二金属多、氧化铝比第二金属多的子区域γ；
[0036]
图10是根据图3的方法制造的玻璃制品的一个实例的图片，其示出了金属区域很好地结合到玻璃基材并且在胶带拉动测试期间没有金属片与玻璃基材分离；
[0037]
图11是根据图3的方法制造的玻璃制品的一个实例的图片，其示出了金属区域很好地结合到玻璃基材并且在胶带拉动测试期间没有金属片与玻璃基材分离；
[0038]
图12是根据图3的方法制造的玻璃制品的一个实例的图片，其示出了金属区域很好地结合到玻璃基材并且在胶带拉动测试期间没有金属片与玻璃基材分离；
[0039]
图13是根据图3的方法制造，但是缺少对第一金属的第一层进行热处理步骤的玻璃制品的一个比较例的图片，其显示出所施加的第一金属的第一层和第二金属的第二层与玻璃基材结合不佳，并且在胶带拉动测试期间有大的金属片与玻璃基材分离；
[0040]
图14是根据图3的方法制造，但是玻璃基材不含氧化铝的玻璃制品的一个比较例的图片，其显示出所施加的第一金属的第一层和第二金属的第二层与玻璃基材结合不佳，并且在胶带拉动测试期间有大的金属片与玻璃基材分离；并且
[0041]
图15是根据图3的方法制造，但是缺少对第一金属的第一层进行热处理步骤的玻璃制品的一个比较例的图片，其显示出所施加的第一金属的第一层和第二金属的第二层与玻璃基材结合不佳，并且在胶带拉动测试期间有大的金属片与玻璃基材分离。
具体实施方式
[0042]
下面详细说明本优选实施方式，这些优选实施方式的实例在附图中示出。在附图中尽可能得使用相同的附图标记表示相同或相似的部分。
[0043]
玻璃基材
[0044]
现在参考图1，该图示出了中介层形式的玻璃基材100。玻璃基材100包括第一表面102和第二表面104。第一表面102和第二表面104是玻璃基材100的主表面。第一表面102和第二表面104至少大致平行，并且面向大致相背的方向。
[0045]
出于将会变明了的原因，本公开的玻璃基材100具有包含氧化铝(al2o3)或一些其他金属氧化物玻璃网络形成剂的组成。在实施方式中，玻璃基材100是碱土金属铝硼硅酸盐基材、碱金属铝硅酸盐玻璃基材、碱金属铝硼硅酸盐玻璃基材、或者碱土金属铝硼硅酸盐玻璃基材。在另一些实施方式中，玻璃基材100不含碱金属，例如，不含碱金属的铝硼硅酸盐玻璃基材或不含碱金属的铝硅酸盐玻璃基材。“不含碱金属”意为玻璃基材100不包含目的量(purposeful amount)的碱金属，因此玻璃基材100中的任何碱金属以杂质存在。在实施方式中，玻璃基材100具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：6mol％至15mol％的al2o3；
以及60mol％至78mol％的sio2。
[0046]
例如，在一些实施方式中，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：64.0mol％至71.0mol％sio2；9.0mol％至12.0mol％al2o3；7.0mol％至12.0mol％b2o3；1.0mol％至3.0mol％mgo；6.0mol％至11.5mol％cao；0mol％至2.0mol％sro；0mol％至0.1mol％bao；以及至少0.01mol％sno2；其中，1.00≤σ[ro]/[al2o3]≤1.25，其中[al2o3]是al2o3的摩尔百分比，并且σ[ro]等于mgo、cao、sro和bao的摩尔百分比的总和。在这样的实施方式中，玻璃基材100可具有20x10-7
至50x10-7
/℃的热膨胀系数(cte)，例如，28x10-7
/℃至34x10-7
/℃，例如，约31.7x10-7
/℃。“cte”、“热膨胀系数”等术语涉及物体的尺寸如何随着温度的变化而变化。cte测量恒定压力下，尺寸随每度温度变化而变化的分数，尺寸例如可以指体积、面积或线性尺寸。
[0047]
在一些实施方式中，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：61mol％至75mol％sio2；7mol％至15mol％al2o3；0mol％至12mol％b2o3；9mol％至21mol％na2o；0mol％至4mol％k2o；0mol％至7mol％mgo；和0mol％至3mol％cao。
[0048]
在一些实施方式中，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：60mol％至70mol％sio2；6mol％至14mol％al2o3；0mol％至15mol％b2o3；0mol％至15mol％li2o；0mol％至20mol％na2o；0mol％至10mol％k2o；0mol％至8mol％mgo；0mol％至10mol％cao；0mol％至5mol％zro2；0mol％至1mol％sno2；0mol％至1mol％ceo2；小于50ppm as2o3；以及小于50ppm sb2o3；其中，12mol％≤li2o+na2o+k2o≦20mol％；并且0mol％≤mgo+cao≤10mol％。
[0049]
在一些实施方式中，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：64mol％至68mol％sio2；12mol％至16mol％na2o；8mol％至12mol％al2o3；0mol％至3mol％b2o3；2mol％至5mol％k2o；4mol％至6mol％mgo；和0mol％至5mol％cao，其中：66mol％≤sio2+b2o3+cao≤69mol％；na2o+k2o+b2o3+mgo+cao+sro》10mol％；5mol％≤mgo+cao+sro≤8mol％；(na2o+b2o3)
–
al2o32mol％；2mol％≤na2o
–
al2o3≤6mol％；且4mol％≤(na2o+k2o)
–
al2o3≤10mol％。
[0050]
在一些实施方式中，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：66mol％至78mol％sio2；4mol％至11mol％al2o3；4mol％至11mol％b2o3；0mol％至2mol％li2o；4mol％至12mol％na2o；0mol％至2mol％k2o；0mol％至2mol％zno；0mol％至5mol％mgo；0mol％至2mol％cao；0mol％至5mol％sro；0mol％至2mol％bao；和0mol％至2mol％sno2。
[0051]
在一些实施方式中，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：69.49mol％sio2、8.45％al2o3、14.01％na2o、1.16％k2o、0.185％sno2、0.507％cao、6.2％mgo、0.01％zro2和0.008％fe2o3。
[0052]
在实施方式中，玻璃基材100由玻璃制造系统来制造，所述玻璃制造系统采用熔合过程来制造玻璃片，然后将玻璃片切割成期望形状的玻璃基材100。熔合过程形成了已经具有均匀厚度的玻璃基材100，例如，总厚度变化(ttv)小于1.0μm。因此，在将玻璃基材100用作中介层之前可能不需要抛光或其他精整步骤。在熔合过程得到的玻璃基材100太厚的情况中，则可通过任何已知手段来减薄玻璃基材100的厚度，例如，蚀刻和抛光。在另一些实施方式中，玻璃基材100通过非熔合过程制造，接着经抛光或蚀刻以具有期望厚度。在制成了玻璃基材100后，可以对玻璃基材100进行退火以减小玻璃基材100中存在的残余应力。
[0053]
玻璃基材100具有从第一表面102到第二表面104延伸的厚度106。在实施方式中，厚度106在25μm至约1mm的范围内，但是也设想了更薄或更厚的厚度106。例如，对于本文所
述的实施方式，玻璃基材100的厚度106为约50μm、约100μm、约200μm、约300μm、约400μm、约500μm、约600μm、约700μm、约800μm、约900μm、约1mm，以及采用这些数值的任何范围，例如，在50μm至300μm的范围内等等。在实施方式中，厚度106在50μm至100μm的范围内。玻璃基材100可具有任何期望的形状。在实施方式中，玻璃基材100具有圆形形状。在这些实施方式中，玻璃基材100可具有在200mm至300mm范围内的直径。在另一些实施方式中，玻璃基材100具有正方形或矩形形状。
[0054]
现在另外参考图2，玻璃基材100还包括一个或多个过孔108。在实施方式中，玻璃基材100包括多个过孔108。在实施方式中，所述一个或多个过孔108中的一些或全部过孔从第一表面102延伸通过玻璃基材100的厚度106而延伸到第二表面104。这种过孔108在本文中可被称为“通孔”(through via)。在另一些实施方式中，所述一个或多个过孔108中的一些或全部过孔向着第一表面102开放，但是仅部分延伸通过厚度106，不是一直延伸通过厚度106而延伸到第二表面104。这种过孔108在本文中可被称为“盲孔”(blind via)。在实施方式中，玻璃基材100同时包括多个通孔和多个盲孔。侧壁表面110限定了玻璃基材100的每个过孔108。
[0055]
每个过孔108具有直径112。虽然每个过孔108的直径112显示为相同，但不是必须如此，即，在相同的玻璃基材100内，过孔108的直径112可以呈现差异。在实施方式中，直径112在5μm至150μm的范围内。在实施方式中，例如，在所例示的实施方式中，过孔108具有含腰部114的沙漏形状，在腰部114处的过孔108的直径112小于玻璃基材100的第一表面102和第二表面104处的过孔108的直径112。沙漏形状可以有益于电镀，这在下文有进一步描述。在另一些实施方式中，过孔108具有基本上圆柱或基本上圆锥的形状。
[0056]
每个过孔108具有中心轴线116。一个过孔108的中心轴线116与相邻过孔108的中心轴线116分离一定距离，该距离被称为节距118。节距118可根据期望的应用而具有任何数值，例如但非限制，约10μm至约2000μm，包括约10μm、约25μm、约50μm、约100μm、约250μm、约500μm、约1000μm、约2000μm，或者这些数值中的任何两个数值之间的任何数值或范围(包括端点)。例如，节距118可以在下述范围内：10μm至100μm、25μm至500μm、10μm至1000μm或250μm至2000μm。相同玻璃基材100上的节距118可以是可变的或者可以是恒定的。节距118可以使得例如每平方毫米具有一(1)至二十(20)个过孔108。每单位面积的过孔数将取决于中介层的设计和应用。在实施方式中，过孔108在整个玻璃基材100上图案化。在另一些实施方式中，过孔108不形成图案。
[0057]
使用各种形成技术中的一种技术在玻璃基材100内形成过孔108。例如，过孔108可通过机械钻孔、蚀刻、激光烧蚀、激光辅助过程、激光损伤和蚀刻过程、喷磨、磨料水射流加工、集中电子热能、或者任何其他合适的形成技术来形成。在激光损伤和蚀刻过程中，通过使用激光在玻璃基材100中初始形成损伤迹线，以沿着损伤迹线对玻璃基材100进行改性。然后向玻璃基材100施加蚀刻溶液。玻璃基材100通过蚀刻溶液减薄。由于玻璃基材100在损伤迹线处的蚀刻速率更快，因此损伤迹线优先被蚀刻，导致穿过玻璃基材100打开过孔100。
[0058]
对玻璃基材100进行金属化的方法200
[0059]
现在参考图3-8，按照本文所述的新颖方法200对玻璃基材100的一个或多个过孔108进行金属化。虽然方法200是在玻璃基材100作为中介层的背景下被描述的，且用于对过孔108进行金属化，但应理解，方法200涉及将金属设置到旨在用于任何目的的玻璃基材100
上，并且涉及对除过孔108的侧壁110之外的表面进行金属化，例如，第一表面102、第二表面104和/或穿过玻璃基材100或在玻璃基材100中的其他孔。在将玻璃基材100用作中介层的背景下，如在背景技术中所提到的，对过孔108进行金属化提供了穿过中介层的导电路径，以供电信号从第一表面102传递到第二表面104。
[0060]
形成第一金属的第一层120。在步骤202中，方法200包括在玻璃基材100上形成第一金属的第一层120(具体参见图4)。在实施方式中，第一金属的第一层120可以覆盖玻璃基材100的全部或基本上全部。在实施方式中，第一金属的第一层120是具有厚度124的纳米层，所述厚度124在5nm至约10000nm的范围内。
[0061]
或者，第一金属的第一层120可以图案化以覆盖玻璃基材100的一部分，例如，第一表面102的一部分，第二表面104的一部分，过孔108的侧壁表面110的一部分或整体，或者它们的一些组合。在实施方式中，第一金属包括银、钯、铂、钌、镍、钴和金中的一种或多种。在实施方式中，第一金属是银或者基本上由银组成。在实施方式中，第一金属的第一层120在过孔108的侧壁表面110上形成。在实施方式中，第一金属的第一层120是银或者基本上由银组成，并且方法200的步骤202包括在玻璃基材100的过孔108的侧壁表面110上形成第一金属(例如，银)的第一层120。图案化可以通过在将第一金属的第一层120沉积到玻璃基材100上期间，掩蔽玻璃基材100的区域来实现，例如，通过用掩蔽胶带或光致抗蚀剂来掩蔽。
[0062]
在实施方式中，在玻璃基材100上形成第一金属的第一层120包括：使玻璃基材100与第一金属的纳米颗粒的悬浮液接触。为了制备纳米颗粒的悬浮液，将纳米颗粒分散在液体载剂中。液体载剂可以是基于水或基于溶剂的。基于溶剂的液体载剂可以是单溶剂，溶剂的混合物，或者具有其他非溶剂组分的溶剂(单溶剂或溶剂的混合物)。可使用的示例性溶剂包括但不限于烃、卤代烃、醇、醚、酮及类似物质或它们的混合物，例如，2-丙醇(也被称为异丙醇、ipa或异丙基醇)、四氢呋喃(thf)、乙醇、氯仿、丙酮、丁醇、辛醇、戊烷、己烷、庚烷、环己烯及其混合物。
[0063]
术语“纳米颗粒”是指沿着最短轴的平均直径(或者截面尺寸)在约1nm至约10000nm之间的颗粒/组分。应理解，纳米颗粒的粒度可以是分布特性。进一步地，在一些实施方式中，纳米颗粒可以具有不同的尺寸或分布，或者可以具有不止一种尺寸或分布。因此，具体的尺寸可以指与各个粒度的分布相关的平均颗粒直径。在一些实施方式中，纳米颗粒可以具有下述平均直径：约5nm至约10000nm、约5nm至约7500nm、约5nm至约5000nm、约5nm至约2500nm、约5nm至约2000nm、约5nm至约1500nm、约5nm至约1250nm、约5nm至约1000nm、约5nm至约750nm、约5nm至约500nm、约5nm至约250nm、约5nm至约200nm、约5nm至约150nm、约5nm至约125nm、约5nm至约100nm、约5nm至约75nm、约5nm至约50nm、约5nm至约25nm、以及约5nm至约20nm，例如，约5nm、10nm、20nm、25nm、50nm、75nm、100nm、125nm、150nm、175nm、200nm、250nm、300nm、400nm、500nm、600nm、700nm、750nm、800nm、900nm、1000nm、1250nm、1500nm、2000nm、2500nm、5000nm、7500nm或10000nm。纳米颗粒的尺寸可通过各种方法来测量，例如，动态光散射技术或者用透射电子显微镜(tem)测量。例如，如本领域所理解的，粒度分布常通过对由几百颗不同的纳米颗粒组成的样品进行tem图像分析来计算。
[0064]
纳米颗粒可以具有任何形状和表面特征。纳米颗粒的结构和几何特性可以不同，并且本公开不旨在限于任何特定的几何特性和/或结构。本文的实施方式包括多个纳米颗粒，并且每个单独的纳米颗粒或纳米颗粒组可具有与其他纳米颗粒相同或不同的结构和/
或几何特性。例如，在一些实施方式中，纳米颗粒可以是球形、椭圆形、多边形、片或者呈现结晶类型的结构。在一些实施方式中，纳米颗粒表面可以是光滑的、粗糙的、有序的、无序的或图案化的。
[0065]
在实施方式中，第一金属的纳米颗粒是银纳米颗粒。在一些实施方式中，银纳米颗粒具有10nm至13nm的平均直径，并且以20重量％的浓度分散在环己烷中(商购自美国纽约州罗切斯特市的思睿恩(cerion)有限责任公司)。尝试过铜纳米颗粒但是发现其不能充分地结合到玻璃基材100。
[0066]
在玻璃基材100与纳米颗粒悬浮液接触之前，任选地对纳米颗粒悬浮液进行超声处理以促进纳米颗粒在整个液体载剂中分散。例如，可以对纳米颗粒悬浮液超声处理15分钟至45分钟的时间，例如约30分钟。
[0067]
当玻璃基材100与第一金属的纳米颗粒的悬浮液接触时，第一金属的第一层120可以包括第一金属的纳米颗粒的不到单层、单层或者多层。
[0068]
在实施方式中，使玻璃基材100与第一金属的纳米颗粒的悬浮液接触包括：用纳米颗粒的悬浮液旋涂玻璃基材100。旋涂可以任何速度进行并且持续足以在玻璃基材100上形成期望的第一金属的第一层120的任何时间。例如，第一金属的纳米颗粒的悬浮液可以沉积到以1000至5000rpm(例如，1000rpm、2000rpm、3000rpm、4000rpm或5000rpm)旋转的玻璃基材100上，并持续约30秒、或少于30秒、或多于30秒的时间。
[0069]
在实施方式中，使玻璃基材100与第一金属的纳米颗粒的悬浮液接触包括：在第一金属的纳米颗粒的悬浮液中浸涂玻璃基材100或者用第一金属的纳米颗粒的悬浮液喷涂玻璃基材100。浸涂可以适于在玻璃基材100上形成第一金属的第一层120的任何撤回速度(有时称为拉动速率)进行(例如，20mm/分钟至35mm/分钟)。
[0070]
在另外的实施方式中，在玻璃基材100上形成第一金属的第一层120包括：将第一金属的第一层120非电解镀覆到玻璃基材100上。在非电解镀覆中，第一金属的阳离子与某种阴离子的离子化合物借助于化学还原剂还原成单质形式的第一金属。典型的非电解镀覆过程包括：(a)包括第一金属的阳离子的离子化合物的镀覆溶液；(b)还原剂；(c)ph调节剂；(d)用于稳定离子化合物的络合剂；和(e)用于控制溶液稳定性和镀覆速率的特殊添加剂。将这些溶液沉积在具有催化活性表面的玻璃基材100上。该催化活性表面催化离子化合物的还原并且使得第一金属以单质形式沉积在玻璃基材100的接触表面上(即，第一表面102、第二表面104和/或过孔108的侧壁表面110上)。第一金属沉积在玻璃基材100的表面上是自动催化的，并因此催化第一金属进一步反应和沉积直到达到第一金属的第一层120的期望厚度124。
[0071]
如所提到的，非电解镀覆过程包括镀覆溶液，所述镀覆溶液包括第一金属的阳离子的离子化合物以及溶剂。合适的离子化合物例如包括硝酸银、硫酸银、氯化钯、乙酸钯、氯化铂和氰化金。通常，基于种子溶液的重量计，离子化合物以约0.001重量％至约10重量％的浓度存在于镀覆溶液中。溶剂可以是水性的，或者可以是适于离子化合物的有机液体。此类有机液体例如可以包括醇、醚、酮、烷烃等。
[0072]
如所提到的，非电解镀覆过程包括还原剂、ph调节剂和络合剂。还原剂将在玻璃基材100上存在的第一金属的阳离子还原。还原剂的具体实例包括nabh4、kbh4、nah2po2、肼、福尔马林和多糖(例如，葡萄糖)。ph调节剂调节镀覆溶液的ph，并且可以是酸性或碱性化合
物。络合剂帮助防止氢氧化物在碱性溶液中沉淀并控制游离金属阳离子的浓度，由此防止离子化合物分解并调整镀覆速度。络合剂的具体实例包括氨溶液、乙酸、胍酸(guanic acid)、酒石酸、螯合剂[例如，乙二胺四乙酸(edta)]和有机胺化合物。
[0073]
在实施方式中，镀覆溶液具有30℃至50℃的温度，例如，约40℃。在实施试中，使玻璃基材100经受20秒至5分钟，例如约30秒时间的非电解镀覆过程。在实施方式中，通过非电解镀覆或其他方式沉积的第一金属的第一层120的厚度124为10nm至100nm，例如约50nm。
[0074]
在另一些实施方式中，在玻璃基材100上形成催化剂金属的第一层120包括朗缪尔-布洛吉特(langmuir-blodgett)沉积、电喷雾离子化、直接纳米颗粒沉积、气相沉积、化学沉积、真空过滤、火焰喷射、电喷雾、喷雾沉积、电沉积、丝网印刷、近空间升华、纳米压印光刻、原位生长、微波辅助化学气相沉积、激光烧蚀、电弧放电或化学蚀刻。
[0075]
第一金属的第一层120的第一热处理。在步骤204中，方法200还包括使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受第一热处理。第一热处理步骤204在本文中可称为将所沉积的第一金属的第一层120“烧结”到玻璃基材100上。如下文将进一步详细说明的，认为步骤204使得来自第一层120的第一金属，以及来自玻璃基材100的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一种相互混合，以使得在第一金属的第一层120与玻璃基材100之间没有清晰限定的边界。
[0076]
如果第一金属易于氧化，则可在惰性气氛(例如，氮气氛)中进行步骤204，或者如果没有在惰性气氛中进行，则可在还原气氛(例如，氢气氛)中进行后续热处理，以将被氧化的第一金属还原回单质形式。被氧化的第一金属会妨碍在方法200中随后沉积后续金属(下文有所论述)。作为第一金属的银不易氧化。
[0077]
在实施方式中，第一热处理步骤204包括：使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受325℃或更高的温度。在实施方式中，第一热处理步骤204包括：使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受325℃或更高的温度并持续45分钟或更久的时间。在实施方式中，第一热处理步骤204包括：使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受325℃或更高的温度并持续45分钟至75分钟的时间。在实施方式中，第一热处理步骤204包括：使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受325℃至425℃的温度。在实施方式中，第一热处理步骤204包括：使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受325℃至425℃的温度并持续45分钟至75分钟的时间。在实施方式中，玻璃基材100初始处于低于325℃的温度(例如，室温)，然后在某升温速率(例如，在0.5℃/分钟至10℃/分钟范围内的升温速率)下升温到325℃或更高的期望温度。在另一些实施方式中，将具有第一金属的第一层120的玻璃基材100直接放置到经过预热的炉中，所述经过预热的炉被设置到在第一热处理步骤204的操作范围内的预定温度。该步骤204可通过将具有第一金属的第一层120的玻璃基材100放置在垂直炉、管式炉、快速热退火炉(rta)中，放置在热板上等来进行。
[0078]
在实施方式中，第一热处理步骤204包括：使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受325℃至375℃的温度并持续第一时间，随后经受375℃至425℃的第二温度并持续第二时间，所述第二时间比所述第一时间长。第一时间可在1分钟至5分钟的范围内。第二时间可以使得第一时间与第二时间的总和在45分钟至75分钟之间。例如，可以使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100首先经受2分钟的350℃的第一温度，随后经受60分钟的400℃的第二温度。使具有第一金属的第一层120的玻璃基材100经受第一温度并持续1分钟
至5分钟的第一时间，玻璃基材100不随后经受持续第二时间的第二温度，由此导致金属的第一层120不能充分粘附于玻璃基材100。
[0079]
确定第一金属区域具有足够的电导率。在步骤206中，方法200任选地包括：确定第一金属的第一层120具有(a)比预定电导率小的电导率，或者(b)比预定电阻率高的电阻率。该步骤206的目的是确定是否可在第一层120的上方电镀第二金属的第二层128(例如，为了对打算作为中介层的玻璃基材100的过孔108进行完全金属化)。电阻率可通过万用表来确定，例如，fluke 87-v[美国华盛顿州埃弗里特的福克股份有限公司(fluke corporation)]，或者使用非接触式表面电阻率测量仪器，例如由nagy messsysteme公司(德国戈伊费尔登市)制造的那些来确定。电导率是电阻率的倒数。由于第一热处理步骤204造成第一金属和硅(或二氧化硅)和/或铝(或氧化铝)的相互混合，因此第一层120的电导率相对于第一金属的电导率可能降低。预定电导率是可用于在方法200的随后步骤中电镀第二金属的第二层128(如下文将进一步描述)的电导率，预定电导率将随着选择用于第二层128的第二金属而变化。对于要用作第二层128的第二金属的典型金属，预定电导率/电阻率与100ω/
□
的片电阻相关联。
[0080]
如果确定第一层120具有(a)比预定电导率小的电导率，或者(b)比预定电阻率高的电阻率中的任一者，则方法200在步骤208中还包括：在第一金属的第一层120的上方非电解镀覆中间金属的中间层126(具体参见图5)。在实施方式中，中间层126的中间金属是铜或者基本上由铜组成。在实施方式中，中间金属包括银、金、钴、钴-磷、铜、镍和镍-磷。上文详述了非电解镀覆。如果第一层120不具有充分的电导率(电阻率太高)，则施加在第一层120上方的中间金属的中间层126允许随后将第二金属的第二层128电镀到中间层126上。在实施方式中，中间层126具有在10nm至100nm范围内的厚度127。在一些实施方式中，进行步骤208以添加中间层126而不进行步骤206或者不用考虑第一层120的电导率或电阻率。
[0081]
在第一层120上形成第二金属的第二层128。在步骤210中，方法202还包括在第一层120上方形成第二金属的第二层128(具体参见图6)。步骤210发生在步骤206之后，或者在确定第一层120的导电性不足以接受电镀第二金属的第二层128的情况中，步骤210发生在步骤208之后。在打算将玻璃基材100制造成中介层的实施方式中，第二金属的第二层128随后填充过孔108的剩余开放部分。过孔108因此变成被金属完全金属化(即，填充)。在实施方式中，第二金属是铜、银、铝、钛、金、铂、镍、钨、铅、锰和镁中的一种或多种。在实施方式中，第二金属是铜和锰的合金。在实施方式中，第二金属是铜并且第一金属(第一层120的第一金属)是银。在实施方式中，第二金属是铜和锰的合金，并且第一金属是银。在实施方式中，方法200的步骤210包括：在银的第一层120的上方电镀作为第二金属的铜的第二层128，以使所述一个或多个过孔108完全金属化。
[0082]
在实施方式中，在第一层120上形成第二金属的第二层128包括：在第一层120上方电镀第二金属的第二层128。如果在步骤206中确定第一层120具有足够的电导率(或者不过高的电阻率)，则在步骤210中，将第二金属的第二层128直接电镀到第一层120上。如果在步骤206处确定第一层120的电导率不够或者阻抗太强，并且将中间金属的中间层126设置到第一金属的第一层120上，则在步骤210中，将第二金属的第二层128电镀到中间金属的中间层126上(具体参见图7)，并因此在第一层120的上方，但是在第一层120与被电镀的金属第二层128之间设置有中间金属的中间层126。
[0083]
在电镀时，将玻璃制品122放置在镀覆溶液中，并且施加电流，所述镀覆溶液包含离子化合物，所述离子化合物具有阴离子以及期望形成第二层128的第二金属的阳离子。结果，根据具体情况，单质形式的第二金属被施加在第一金属的第一层120的上方或中间金属的中间层126的上方，从而形成第二金属的第二层128。包含要被沉积的第二金属阳离子的离子化合物的阴离子包括硫酸根、硝酸根和氯阴离子。一种示例性的离子化合物是硫酸铜。一种示例性的镀覆溶液包括在蒸馏水中的五水硫酸铜(cuso4.5h2o)、焦磷酸钾(k4p2o7)和柠檬酸。另一种示例性的镀覆溶液包括五水硫酸铜(cuso4.5h2o)、一水硫酸锰(mnso4.h2o)、四水合酒石酸钠钾(罗谢尔(rochelle)盐)和甲醛。在实施方式中，镀覆溶液中的离子化合物浓度为0.001m或更大。除了玻璃制品122之外，在镀覆溶液中还设置有由任何导电材料制造的电极。在实施方式中，镀覆溶液具有10℃至50℃的温度，例如，室温或40℃。
[0084]
在电极与具有第一层120[和中间层126(如果存在)]的玻璃基材100之间施加电流、电压或电流和电压的组合，以向有第一层120[和中间层126(如果存在)]的玻璃基材100提供负的恒定电流。在实施方式中，提供约0.001ma/cm2至约1a/cm2的电流密度范围和约-0.001v至约-20v的电压范围。结果，旨在成为第二层128的第二金属的阳离子在第一层120的上方(或者在中间层126的上方，视情况而定)被还原成单质形式。电流密度控制该还原反应的速率。因此，通过增加或减小所施加的电流可以增加或减小沉积速率。但应注意，所施加的电流过高可能导致得到多孔且填充有空隙的沉积物，而过低的电流可能使得过程太长而不实用。在第一层120[或者中间层126(如果存在)]的上方施加了期望的第二金属的第二层128之后，终止电流，从镀覆溶液移除玻璃基材100，并且可用去离子水清洁具有第二层128的玻璃基材100。现在可以任选地对具有第二层128的玻璃基材100进行干燥，例如，通过在其上流动氮气流。
[0085]
在另一些实施方式中，在金属区域132上形成第二金属的第二层128包括非电解镀覆、化学气相沉积(cvd)或者物理气相沉积(pvd)(包括溅射)，以及热和电子束蒸发方法。cvd过程适于具有相对较小尺寸(直径112为3-5μm)且纵横比最高至20的过孔108，但是可能不适于较大且较深的过孔108。ald(原子层沉积)是可用于填充具有高纵横比的过孔108的方法。
[0086]
在将玻璃基材100制造成中介层的实施方式中，第二金属的第二层128填充过孔108的剩余开放部分。当通过电镀添加第二层128时，将玻璃基材100置于镀覆溶液中，以使镀覆溶液填充所有的过孔108。第二金属的第二层128被沉积在第一层[或者中间层126(如果存在)]上，并且不断积聚直到过孔108被气密性密封并因此完全金属化。在过孔108呈沙漏形状的实施方式中，较窄的腰部114提供了供导电的第二金属初始沉积的金属“桥”。第二金属不断沉积在该桥的两侧上直到第二层128形成且过孔108得到填充。该“桥”帮助防止第二金属在第一表面102或第二表面104附近沉积而导致在过孔108被第二金属填充之前隔绝过孔108的内部。这种过孔108的内部隔绝在过孔108内形成了空隙。一旦第二金属的第二层128填充了玻璃基材100的过孔108，则终止电流，并且使玻璃基材100与镀覆溶液分离。
[0087]
具有第二层128的玻璃制品122的第二热处理。在步骤212中，方法200还包括使具有第二金属的第二层128的玻璃基材100经受第二热处理。第一热处理步骤204和第二热处理步骤212诱导了玻璃基材100的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属以及第二金属相互混合而形成具有金属区域132的玻璃制品122(参见图8)，所述金属区域132包含
第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅。金属区域132包括来自第一层120的第一金属，来自第二层128的第二金属，来自中间层126(如果施加)的中间金属，以及还有来自玻璃基材100的成分，例如，铝(或氧化铝)和硅(或二氧化硅)。换言之，认为来自第一层120的第一金属和来自玻璃基材100的铝(或氧化铝)和硅(或二氧化硅)在步骤204期间相互混合。另外，认为来自第二层128的第二金属，来自第一层120的第一金属，来自第二层126(如果存在)的中间金属，以及来自玻璃基材100的铝(或氧化铝)和硅(或二氧化硅)在步骤212期间相互混合。金属区域132因此包括来自第一层120的第一金属，来自第二层128的第二金属和来自中间层126(如果存在)的中间金属，以及铝、硅和氧。在金属区域132中，至少一部分的铝和硅形成氧化物相。氧化物相包括氧化铝和二氧化硅。氧化物相中的氧在步骤204或212期间可以从玻璃基材100扩散或迁移，或者从周围环境(例如，空气)进入金属区域132。不论氧的来源如何，净结果是形成了包括氧化铝和二氧化硅的金属区域132。虽然不希望囿于理论，但是认为金属区域132中的氧化铝和/或二氧化硅的存在提高了所施加的第一金属、第二金属和中间金属(如果施加)对玻璃基材100的粘附。
[0088]
在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层128的玻璃基材100经受至少300℃的温度并持续至少20分钟的时间。在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层128的玻璃基材100经受300℃至400℃的温度并持续至少20分钟的时间。在实施方式中，第二热处理包括：使具有第二金属的第二层128的玻璃基材100经受300℃至玻璃基材100的应变点的温度，包括300℃至400℃，例如，325℃至375℃，并且持续至少20分钟的时间，例如20分钟至8小时。在玻璃基材100要成为中介层的实施方式中，步骤212包括：使玻璃中介层经受300℃至玻璃基材100的应变点的温度，包括300℃至400℃，例如，325℃至375℃，并且持续至少20分钟的时间。
[0089]
步骤212的一个目的是使第一金属、第二金属、中间金属(如果存在)以及来自玻璃基材100的硅(或二氧化硅)和铝(或氧化铝)相互混合，如上文所解释的。虽然低于300℃的温度可以满足该目的，但是这样的温度可能需要过长的时间，对商业目的而言不合理。换言之，步骤212的低于300℃的温度可以得到这种相互混合，但是可能花费过长的时间而在商业上不实用。步骤212的400℃或更低的温度将能够与大多数玻璃基材100相容。步骤212的另一个目的是缓解已经在玻璃基材100中形成的应力。例如，用于在打算用作中介层的玻璃基材100中形成过孔108的激光过程可在玻璃基材100中产生热应力。在对过孔108进行金属化之后，使玻璃基材100退火缓解了可能存在的残余应力。
[0090]
在实施方式中，将具有第二层128的玻璃基材100放置在室温下的加热设备中，然后以预定的速率将加热设备中的温度升高到300℃至400℃的温度(或者可与玻璃基材100和可用的工艺时间相容的更高或更低的温度)。例如，预定的速率可以在1℃/分钟至11℃/分钟的范围内。接着将加热设备中的温度维持一段时间。在该时间后，以不造成玻璃基材100热开裂的任何速率将加热设备中的温度冷却到室温，例如，以-0.6℃/分钟至-2.0℃/分钟范围内的速率冷却。适于该步骤212的示例性加热设备包括退火炉、退火窑(例如，以blue m品牌购自美国宾夕法尼亚州新哥伦比亚的热产品解决方案(thermal product solutions)公司的那些)，压力通风炉(例如，购自美国马萨诸塞州沃尔瑟姆市的飞世尔科技公司(fisher scientific)的飞世尔isotem可编程压力通风炉)。可在氮气中对具有第二层128的玻璃基材100进行退火。
[0091]
包含玻璃基材100的本体组成和金属区域132的玻璃制品122
[0092]
现在参考图9，如上所述，使具有第一金属和第二金属的玻璃基材100在步骤212期间经受高温一段时间，使得第一金属、第二金属、中间金属(如果施加)和玻璃基材100的成分[包括硅(或二氧化硅)和铝(或氧化铝)]明显相互混合。这在图9中具体示出，其中，根据方法200制造的示例性玻璃制品122的组成随着玻璃制品122内的位置而变化。如上所述，以重量百分比计，玻璃基材100主要包括二氧化硅和氧化铝。然而，注意，二氧化硅和氧化铝的重量百分比均随着玻璃基材100中的位置移向金属区域132而减小。图11的x轴上的时间0可代表平面玻璃制品122的主表面，金属区域132在此处向环境开放。此外，图9的x轴上的时间0可代表金属化过孔108的中心轴线116，并且沿着x轴的时间增加代表侧向远离中心轴线116的位置。此外，注意，x轴以时间为单位是因为这是溅射过程，因此x轴是溅射的时间。溅射时间越长，进入到样品中越深的地方测量组成。因此，所绘制的时间指示了进入到玻璃制品122中的深度。然而，时间值不能轻易地转换成深度，因为不同的材料具有不同的溅射速率。
[0093]
金属区域132包括第一金属(在该具体情况中为ag)和第二金属(在该具体情况中为cu和mn)。金属区域132还包括二氧化硅和氧化铝。在实施方式中，氧化铝在整个金属区域132中是连续的。在金属区域132中，存在子区域α，其主要包括(以重量百分比计)第二金属。也就是说，(i)在子区域α中，第二金属比第一金属的重量百分比高，(ii)在子区域α中，第二金属比二氧化硅的重量百分比高，并且(iii)在子区域α中，第二金属比氧化铝的重量百分比高。
[0094]
另外，在金属区域132中，存在子区域β，其主要包括(以重量百分比计)第一金属，且第二金属比二氧化硅多、第二金属比氧化铝多。(i)第一金属比第二金属的重量百分比高，(ii)第一金属比二氧化硅的重量百分比高，以及(iii)第一金属比氧化铝的重量百分比高。第二金属的重量百分比大于二氧化硅的重量百分比。第二金属的重量百分比大于氧化铝的重量百分比。
[0095]
最后，在金属区域132中，存在子区域γ，其主要包括(以重量百分比计)第一金属，且二氧化硅比第二金属多、氧化铝比第二金属多。(i)第一金属比第二金属的重量百分比高，(ii)第一金属比二氧化硅的重量百分比高，以及(iii)第一金属比氧化铝的重量百分比高。二氧化硅的重量百分比大于第二金属的重量百分比。氧化铝的重量百分比大于第二金属的重量百分比。
[0096]
在热处理步骤204和212期间，硅(或二氧化硅)和铝(或氧化铝)从玻璃基材100迁移并进入到金属区域132中，将第一金属和第二金属结合在一起。在第二热处理步骤212期间，来自第一层120的第一金属的一部分迁移以结合来自第二层128的第二金属的一部分而形成子区域α。在第二热处理步骤212期间，来自第二层128的第二金属的一部分迁移以结合来自第一层120的第一金属的一部分而形成子区域β和子区域γ。
[0097]
在方法200包括步骤208的添加中间金属的中间层126的实施方式中，金属区域132则可以进一步包括中间金属。
[0098]
在子区域α、子区域β和子区域γ中，子区域γ离玻璃基材100最近，而子区域α离玻璃基材100最远。
[0099]
在实施方式中，玻璃制品122还包括设置在玻璃基材100与金属区域132之间的过
渡区域134。以重量百分比计，过渡区域134主要包括二氧化硅，但是包含比氧化铝多的第一金属。在实施方式中，过渡区域134被设置在玻璃基材100的本体与金属区域132的子区域γ之间。
[0100]
在玻璃制品122是中介层的实施方式中，过孔108被完全金属化并且过孔108包括金属区域132。主要包括第二金属的子区域α以每个过孔108的中心轴线116为中心。当过孔108被金属区域132填充且完全金属化时，过孔108可电连接设置在玻璃制品122的第一表面102和第二表面104上的电学部件的电迹线。
[0101]
第一金属、中间金属(如果存在)、第二金属以及玻璃基材100的成分[包括硅(或二氧化硅)和铝(或氧化铝)]的这种明显相互混合使得第二金属牢固地结合到玻璃基材100(通过形成金属区132)。考虑到方法200不需要通过添加或消去过程对欲在其上方施加第二金属的玻璃基材100的表面进行“粗糙化”，因此结合的程度具有惊人的结果。典型地，使用这种粗糙化步骤，在该粗糙化步骤中，玻璃基材100的目标表面的表面粗糙度有所增加。表面粗糙度的增加在表面处提供了可供金属物理结合的结构特征。不需要这种粗糙化步骤的方法200更加划算。在实施方式中，施加有第一金属的第一层120的玻璃基材100的表面具有1nm至3nm的表面粗糙度(ra)。
[0102]
实施例
[0103]
实施例1：在实施例1中，对玻璃基材100进行选择。玻璃基材100是购自康宁股份有限公司(美国纽约州康宁市)的eagle该玻璃基材100是无碱金属的铝硼硅酸盐玻璃基材，其主要组分包括二氧化硅、氧化铝、氧化钙和氧化镁。更具体地，玻璃基材100包含(基于氧化物计)：64.0mol％至71.0mol％sio2；9.0mol％至12.0mol％al2o3；7.0mol％至12.0mol％b2o3；1.0mol％至3.0mol％mgo；6.0mol％至11.5mol％cao；0mol％至2.0mol％sro；0mol％至0.1mol％bao；以及至少0.01mol％sno2；其中，1.00≦σ[ro]/[al2o3]≦1.25，其中[al2o3]是al2o3的摩尔百分比，并且σ[ro]等于mgo、cao、sro和bao的摩尔百分比的总和。玻璃基材100具有第一表面102和第二表面104，它们基本平行且平坦。玻璃基材100不具有过孔108。
[0104]
获得银纳米颗粒的悬浮液以形成将银作为第一金属的第一层120。银纳米颗粒具有10nm至13nm的平均直径，并且以20重量％的浓度分散在环己烷中。对银纳米颗粒的悬浮液超声处理30分钟的时间。超声破碎了银纳米颗粒的聚集体，由此改进了银纳米颗粒在整个液体载剂中的分散。
[0105]
接着进行方法200的步骤202：将作为第一金属的银的第一层120形成到玻璃基材100的第一表面102上。更具体地，使玻璃基材100与银纳米颗粒的悬浮液接触。具体来说，将银纳米颗粒的悬浮液旋涂到玻璃基材100上，并因此在玻璃基材100上形成将银作为第一金属的第一层120。玻璃基材100的旋转速度为1000rpm。
[0106]
然后进行方法200的步骤204：第一热处理。更具体地，将具有以银作为第一金属的第一层120的玻璃基材100放置到温度为350℃的热板上2分钟。随后，将具有以银作为第一金属的第一层120的玻璃基材100放置到空气温度为350℃的炉中。该炉以1℃/分钟的增量将空气的温度升高到400℃。使具有以银作为第一金属的第一层120的玻璃基材100在炉中1小时。
[0107]
然后进行方法200的步骤206。更具体地，用fluke 87-a万用表测量第一层120的片
电阻。片电阻为0.7ω/
□
。根据该数值确定，第一层120的阻抗不会太高(即，足够导电)而能够根据随后的步骤210来接受电镀第二金属的第二层128。
[0108]
接着进行方法200的步骤210，并且在以银作为第一金属的第一层120的上方，形成以铜和锰的合金作为第二金属的第二层128。更具体地，制备溶于去离子水的硫酸铜和硫酸锰(1m浓度)的镀覆溶液。将包括银作为第一金属的第一层120的玻璃基材100放置在镀覆溶液中并且使用铜板作为电极来进行电镀。施加50ma的电流1小时的时间。在第一层120的上方电镀以铜合金作为第二金属的2.5μm厚的第二层128。
[0109]
然后进行方法200的步骤212：第二热处理。更具体地，在真空炉中对具有以银作为第一金属的第一层120和以铜和锰的合金作为第二金属的第二层128的玻璃基材100进行退火。将玻璃基材100放置到提供室温环境的真空炉中。真空炉接着以5℃/分钟的增量将内部温度从室温升高到玻璃基材100经受的350℃。随后，使玻璃基材100经受350℃的温度30分钟。接着将玻璃基材100以-5℃/分钟的速率冷到到室温。
[0110]
具有以银作为第一金属的第一层120以及以铜和锰的合金作为第二金属的第二层128的玻璃基材100的第二热处理(在步骤212中)得到了上文结合图9所述的玻璃制品122，其中，作为第一金属的银，作为第二金属的铜和锰，以及来自玻璃基材100呈氧化物形式的硅和铝二者在整个金属区域132中明显掺混。具体地，玻璃基材100主要具有二氧化硅和氧化铝，并且随着玻璃基材100中的位置向着金属区域132变化，二氧化硅和氧化铝二者的相对量减小。金属区域132的子区域β和子区域δ主要包括来自第一层120的银。在玻璃基材100与金属区域132之间是过渡区域134，其主要包括二氧化硅，但是包括比氧化铝更多的来自第一层120的银。
[0111]
金属区域132的子区域β和子区域δ主要具有来自第一层120的银，但是在各处也包括从第二层128迁移的铜和锰。二氧化硅和氧化铝的相对量在整个子区域β和子区域δ中一般向着子区域α减小。在子区域δ中，二氧化硅和氧化铝的重量百分比各自超过了来自第二层128的铜和锰的重量百分比。
[0112]
金属区域132的子区域α主要包括来自第二层128的铜和锰。在金属区域132的子区域α中，来自第二层128的铜和锰的重量百分比大于二氧化硅的重量百分比且大于氧化铝的重量百分比。子区域α中氧化铝的存在是令人惊奇的，因为这意味着在第一热处理步骤204和第二热处理步骤212期间，铝或氧化铝已经从玻璃基材100迁移到子区域α。子区域α还包括来自第一层120的银。
[0113]
在过渡区域134中，来自第一层120的银似乎进入到玻璃网络中，该过渡区域134的生成以及铝或氧化铝在整个金属区域132中迁移使得在金属区域132与玻璃基材100之间提供了牢固结合，从而允许包括作为第二金属的铜和锰的金属区域132牢固地结合于作为第一层120添加的银和玻璃基材100。
[0114]
现在参考图10，根据astm d3359-09(通过胶带测试测量附着性的标准测试方法)，对得到的玻璃制品122进行划格胶带测试，以测试金属区域132对玻璃基材100的结合(附着性)。对于胶带测试，在金属区域132中制造格子图案，其中每个方向上划11刀。然后在格子图案上方施加压敏胶带。接着剥除胶带。然后将移除的量和类型与astm文件中的说明和图样进行比较。剥落胶带从玻璃制品122移除了0％的金属区域132。根据astm标准，测试结果为5b。这显示出银(作为第一层120添加)以及铜和锰(作为第二层128添加)能高水平地结合
到玻璃基材100。
[0115]
实施例2：在实施例2中，对玻璃基材100进行选择。玻璃基材100同样是购自康宁股份有限公司(美国纽约州康宁市)的eagle并且在其他方面与实施例1的玻璃基材100相同。除步骤210之外，实施例2的玻璃基材100经受与实施例1的玻璃基材100相同的方法200。对于实施例2，在步骤210中，制备溶于去离子水的硫酸铜(1m浓度)的非酸性镀覆溶液。铜的镀覆溶液还可包括氢硫酸，但是对于步骤210，证明不是必要的。将包括以银作为第一金属的第一层120的玻璃基材100放置在镀覆溶液中并且使用铜板作为电极来进行电镀。施加50ma的电流1小时的时间。在银第一层120的上方电镀以铜作为第二金属的2.5μm厚的第二层128。
[0116]
现在参考图11，根据astm d3359-09(通过胶带测试测量附着性的标准测试方法)，对得到的玻璃制品122进行相同的划格胶带测试。剥落胶带从玻璃制品122移除了0％的金属区域132。根据astm标准，测试结果为5b。这显示出银(作为第一层120添加)以及铜(作为第二层128添加)能高水平地结合到玻璃基材100。
[0117]
实施例3：在实施例3中，玻璃基材100是购自康宁股份有限公司(美国纽约州康宁市)的lotus nxt玻璃基材100。该玻璃基材100为碱土金属铝硼硅酸盐玻璃基材100，包括氧化铝作为网络形成剂。另外，使实施例3的玻璃基材100经受与实施例2的玻璃基材100相同的方法200。
[0118]
现在参考图12，根据astm d3359-09(通过胶带测试测量附着性的标准测试方法)，对得到的玻璃制品122进行相同的划格胶带测试。剥落胶带从玻璃制品122移除了0％的金属区域132。根据astm标准，测试结果为5b。这显示出银(作为第一层120添加)以及铜(作为第二层128添加)能高水平地结合到玻璃基材100。
[0119]
比较例1：在该比较例1中，玻璃基材100与实施例2的相同——购自康宁股份有限公司(美国纽约州康宁市)的eagle使玻璃基材100经受与实施例2的方法200相同的步骤，但是不对具有以银作为第一金属的第一层120的玻璃基材100进行第一热处理步骤204。
[0120]
现在参考图13，在进行了剩余的步骤之后，根据astm d3359-09(通过胶带测试测量附着性的标准测试方法)，对得到的玻璃制品122进行相同的划格胶带测试。剥落胶带使得从玻璃基材100移除了大百分比的金属区域132，证明铜和银对玻璃基材100的结合差。差的结合性(附着性)证明对具有第一金属的第一层120的玻璃基材100进行第一热处理步骤204是使第二金属的第二层128牢固地结合到玻璃基材100的方法200中的重要步骤。
[0121]
比较例2：在该比较例2中，所用的玻璃基材100是高纯度熔凝二氧化硅。高纯度熔凝二氧化硅不包括作为网络形成剂的氧化铝。结果，高纯度熔凝二氧化硅具有相对较高的软化温度。使玻璃基材100经受与实施例2的方法200相同的步骤——唯一不同是使用高纯度熔凝二氧化硅而不是eagle(包括氧化铝)作为玻璃基材100。
[0122]
现在参考图14，在进行了剩余的步骤之后，根据astm d3359-09(通过胶带测试测量附着性的标准测试方法)，对玻璃基材100上方所施加的金属层进行相同的划格胶带测试。剥落胶带使得从玻璃基材100移除了大百分比的所施加的金属，证明金属对玻璃基材100的结合差。差的结合性(附着性)证明玻璃基材100的组成中氧化铝的存在对第二金属的
第二层128牢固地结合到玻璃基材100上来说是重要的。
[0123]
比较例3：在该比较例3中，玻璃基材100与实施例3的相同——购自康宁股份有限公司(美国纽约州康宁市)的lotus nxt玻璃基材100。使玻璃基材100经受与实施例2和3的方法200相同的步骤，但是不对具有第一金属的第一层120的玻璃基材100进行第一热处理步骤204。
[0124]
现在参考图15，在进行了剩余的步骤之后，根据astm d3359-09(通过胶带测试测量附着性的标准测试方法)，对玻璃基材100上方所施加的金属层进行相同的划格胶带测试。剥落胶带使得从玻璃基材10移除了大百分比的所施加的金属，证明金属对玻璃基材100的结合差。差的结合性(附着性)证明对具有第一金属的第一层120的玻璃基材100进行第一热处理步骤204是使第二金属的第二层128牢固地结合到玻璃基材100的方法200中的重要步骤。
[0125]
本说明书的方面1为：
[0126]
一种制造玻璃制品的方法，所述方法包括：
[0127]
在玻璃基材上形成第一金属的第一层，所述玻璃基材包括二氧化硅和氧化铝；
[0128]
使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受第一热处理；
[0129]
在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层；以及
[0130]
使第二金属的第二层经受第二热处理；
[0131]
其中，第一热处理和第二热处理诱导了玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属以及第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。
[0132]
本说明书的方面2为：
[0133]
方面1的方法，其中：
[0134]
玻璃基材具有第一表面和第二表面，所述第一表面和第二表面是玻璃基材的主表面并且面向大致相背的方向，并且玻璃基材具有至少一个通过玻璃基材的过孔，所述过孔由从第一表面延伸到第二表面的侧壁表面限定；并且
[0135]
第一金属的第一层形成在侧壁表面上。
[0136]
本说明书的方面3为：
[0137]
方面1或2的方法，其中：
[0138]
玻璃基材是碱土金属铝硼硅酸盐基材、碱金属铝硅酸盐玻璃基材或者碱金属铝硼硅酸盐玻璃基材。
[0139]
本说明书的方面4为：
[0140]
方面1或2的方法，其中：
[0141]
玻璃基材是无碱金属的铝硼硅酸盐玻璃基材。
[0142]
本说明书的方面5为：
[0143]
方面1-4中任一方面的方法，其中：
[0144]
玻璃基材未经受过使玻璃基材表面粗糙化的程序。
[0145]
本说明书的方面6为：
[0146]
方面1-5中任一方面的方法，其中：
[0147]
玻璃基材具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：6mol％至15mol％al2o3。
[0148]
本说明书的方面7为：
[0149]
方面1-5中任一方面的方法，其中：
[0150]
玻璃基材具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：64.0mol％至71.0mol％sio2；9.0mol％至12.0mol％al2o3；7.0mol％至12.0mol％b2o3；1.0mol％至3.0mol％mgo；6.0mol％至11.5mol％cao；0mol％至2.0mol％sro；0mol％至0.1mol％bao；和至少0.01mol％sno2；
[0151]
其中，1.00≤σ[ro]/[al2o3]≤1.25，其中，[al2o3]是al2o3的摩尔百分比，并且σ[ro]等于mgo、cao、sro和bao的摩尔百分比的总和。
[0152]
本说明书的方面8为：
[0153]
方面1-7中任一方面的方法，其中：
[0154]
第一金属基本上由银组成。
[0155]
本说明书的方面9为：
[0156]
方面1-7中任一方面的方法，其中：
[0157]
第一金属包括银、钯、铂、钌、镍、钴和金中的一种或多种。
[0158]
本说明书的方面10为：
[0159]
方面1-9中任一方面的方法，其中：
[0160]
在玻璃基材上形成第一金属的第一层包括：用第一金属的纳米颗粒的悬浮液旋涂玻璃基材。
[0161]
本说明书的方面11为：
[0162]
方面1-9中任一方面的方法，其中：
[0163]
在玻璃基材上形成第一金属的第一层包括非电解镀覆。
[0164]
本说明书的方面12为：
[0165]
方面1-11中任一方面的方法，其中：
[0166]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度。
[0167]
本说明书的方面13为：
[0168]
方面1-11中任一方面的方法，其中：
[0169]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃至425℃的温度。
[0170]
本说明书的方面14为：
[0171]
方面1-11中任一方面的方法，其中：
[0172]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟或更久的时间。
[0173]
本说明书的方面15为：
[0174]
方面1-11中任一方面的方法，其中：
[0175]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟至75分钟的时间。
[0176]
本说明书的方面16为：
[0177]
方面1-11中任一方面的方法，其中：
[0178]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃至425℃的温度
并持续45分钟至75分钟的时间。
[0179]
本说明书的方面17为：
[0180]
方面1-16中任一方面的方法，还包括：
[0181]
在形成第一金属的第一层之后并且在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层之前，确定第一层具有(a)比预定电导率小的电导率，或者(b)比预定电阻率高的电阻率；以及
[0182]
在第一金属的第一层的上方非电解镀覆中间金属的中间层；
[0183]
其中，在第一金属的第一层上方形成第二金属的第二层包括：在中间金属的中间层上形成第二金属的第二层；并且
[0184]
其中，第一热处理和第二热处理诱导玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属、中间金属和第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。
[0185]
本说明书的方面18为：
[0186]
方面1-17中任一方面的方法，其中：
[0187]
在第一金属的第一层的上方形成第二金属的第二层包括：在第一层上电镀第二金属的第二层。
[0188]
本说明书的方面19为：
[0189]
方面1-18中任一方面的方法，其中：
[0190]
第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受至少300℃的温度并持续至少20分钟的时间。
[0191]
本说明书的方面20为：
[0192]
方面1-18中任一方面的方法，其中：
[0193]
第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受300℃至400℃的温度并持续至少20分钟的时间。
[0194]
本说明书的方面21为：
[0195]
一种制造玻璃中介层的方法，所述方法包括：
[0196]
在玻璃基材的一个或多个过孔的侧壁表面上形成第一金属的第一层，所述玻璃基材包括二氧化硅和氧化铝；
[0197]
使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受第一热处理；
[0198]
在第一金属的第一层上方电镀第二金属的第二层，以使所述一个或多个过孔完全金属化；以及
[0199]
使第二金属的第二层经受第二热处理，第一热处理和第二热处理诱导玻璃基材的铝、氧化铝、硅和二氧化硅中的至少一者，第一金属和第二金属相互混合而形成包含第一金属、第二金属、氧化铝和二氧化硅的金属区域。
[0200]
本说明书的方面22为：
[0201]
方面21的方法，其中：
[0202]
第一金属基本上由银组成；并且
[0203]
第二金属包含铜。
[0204]
本说明书的方面23为：
[0205]
方面21或22的方法，其中：
[0206]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟或更久的时间。
[0207]
本说明书的方面24为：
[0208]
方面21或22的方法，其中：
[0209]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃或更高的温度并持续45分钟至75分钟的时间。
[0210]
本说明书的方面25为：
[0211]
方面21或22的方法，其中：
[0212]
第一热处理包括：使具有第一金属的第一层的玻璃基材经受325℃至425℃的温度并持续45分钟至75分钟的时间。
[0213]
本说明书的方面26为：
[0214]
方面21-25中任一方面的方法，其中：
[0215]
第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受至少300℃的温度并持续至少20分钟的时间。
[0216]
本说明书的方面27为：
[0217]
方面21-25中任一方面的方法，其中：
[0218]
第二热处理包括：使具有第二金属的第二层的玻璃基材经受300℃至400℃的温度并持续至少20分钟的时间。
[0219]
本说明书的方面28为：
[0220]
方面21-27中任一方面的方法，
[0221]
玻璃基材具有某种组成，该组成包含(基于氧化物计)：64.0mol％至71.0mol％sio2；9.0mol％至12.0mol％al2o3；7.0mol％至12.0mol％b2o3；1.0mol％至3.0mol％mgo；6.0mol％至11.5mol％cao；0mol％至2.0mol％sro；0mol％至0.1mol％bao；和至少0.01mol％sno2；
[0222]
其中，1.00≤σ[ro]/[al2o3]≤1.25，其中，[al2o3]是al2o3的摩尔百分比，并且σ[ro]等于mgo、cao、sro和bao的摩尔百分比的总和；并且
[0223]
其中，玻璃基材具有20x10-7
至50x10-7
/℃的热膨胀系数(cte)。
[0224]
本说明书的方面29为：
[0225]
一种玻璃制品，其包括：
[0226]
玻璃基材，所述玻璃基材主要包括(以重量百分比计)二氧化硅和氧化铝；和
[0227]
金属区域，所述金属区域包括第一金属、第二金属、二氧化硅和氧化铝，
[0228]
所述金属区域还包括：
[0229]
子区域α，其主要包括(以重量百分比计)第二金属；
[0230]
子区域β，其主要包括(以重量百分比计)第一金属，且第二金属比二氧化硅多、第二金属比氧化铝多；和
[0231]
子区域γ，其主要包括(以重量百分比计)第一金属，且二氧化硅比第二金属多、氧化铝比第二金属多；
[0232]
其中，在子区域α、子区域β和子区域γ中，子区域γ离玻璃基材最近，并且子区域α
离玻璃基材最远。
[0233]
本说明书的方面30为：
[0234]
方面29的玻璃制品，其还包括：
[0235]
设置在玻璃基材与子区域γ之间的过渡区域，所述过渡区域主要包括(以重量百分比计)二氧化硅，且第一金属比氧化铝多。
[0236]
本说明书的方面31为：
[0237]
方面29或30的玻璃制品，其中：
[0238]
氧化铝从玻璃基材连续通过子区域α。
[0239]
本说明书的方面32为：
[0240]
方面29-31中任一方面的玻璃制品，其中：
[0241]
所述玻璃制品是中介层，所述中介层包括第一表面，第二表面，在第一表面与第二表面之间的厚度，以及朝向第一表面开放的至少一个过孔，所述至少一个过孔向着第二表面至少部分延伸通过所述厚度，每个过孔完全金属化并且金属区域围绕过孔的中心轴线设置。
[0242]
本说明书的方面33为：
[0243]
方面29-32中任一方面的玻璃制品，其中：
[0244]
第一金属基本上由银组成，并且第二金属包含铜。
[0245]
对本领域的技术人员而言，显而易见的是可以在不偏离权利要求的精神或范围的情况下进行各种修改和变动。