2020年10月16日，在风景宜人的上海滴水湖畔----滴水湖皇冠假日酒店，“2020年瞻芯电子产品发布会”顺利举办，正式发布基于6英寸晶圆通过JEDEC(暨工规级)认证的1200V 80mohm碳化硅（SiC）MOSFET产品。这是首款在国内设计研发、国内6英寸生产线制造流片的碳化硅MOSFET，该产品的发布填补了国内空白，产品性能达到国际先进水平。

瞻芯电子自2017年7月17日成立伊始便启动6英寸SiC MOSFET产品和工艺的研发工作，于2018年5月全部打通了SiC MOSFET的关键工艺并制造出第一片国产6英寸SiC MOSFET晶圆。经过三年的深度研发，成为中国第一家自主开发并掌握6英寸SiC MOSFET产品以及工艺平台的公司。2020年9月11日，瞻芯电子具有完全自主知识产权的碳化硅1200V 80mohm MOSFET产品通过JEDEC工规级认证，成为国内主流的工业级碳化硅MOSFET功率器件厂商。

发布会上，CEO张永熙博士详细介绍了工艺开发和产品开发流程，严谨的可靠性验证步骤，并与国际知名厂商对比产品的关键指标以及可靠性数据，产品整体达到国际先进水平；COO陈俭介绍了贯彻“客户至上”理念的客户支持团队、覆盖研发到生产过程的严格质量管理体系、有求必应且“服务优质”的供应链，以及碳化硅产品的成本降低预测；市场副总曹峻介绍了产品支持的应用领域，包括风能和光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域，以及当前的市场销售情况。两家客户端企业也现场做了瞻芯SiC MOSFET产品使用的体验和分享报告。

临港新片区投资促进服务中心主任顾长石先生代表临港新片区致辞，并主持了当天的发布会。共同见证2020年瞻芯电子产品发布会活动的嘉宾还有：临港新片区管委会高科处和临港科技城领导，中国宽禁带功率半导体及应用产业联盟、第三代半导体产业技术创新战略联盟、中国电源学会、国家新能源汽车技术创新中心、上海市集成电路行业协会等行业协会领导，碳化硅半导体上下游产业链合作伙伴，投资界和媒体行业伙伴。总人数超过250人。

据公司创始人张永熙博士介绍，在新能源汽车电驱动中使用SiC MOSFET替代Si IGBT，整车效率提高5%-10%。在光伏逆变器中使用SiC 功率器件，整机的能耗降低50%。电力电子行业专家周满枝介绍，使用SiC MOSFET替代Si IGBT，其开通损耗降低至三分之一，关断损耗降至二十分之一，这使得使用SiC功率器件的产品可以达到更高的功率密度，使用更简单的散热设计，整体效率更高。SiC MOSFET应用于新能源汽车、光伏逆变，风能逆变、储能设施、高速电机驱动等场合，其市场前景广泛，预计到2027年市场销售额将达到100亿美元，SiC功率器件是面向未来更环保，更节能的电能转换核心器件，在整个系统中处于关键部位。

发布会现场集锦

瞻芯电子CEO张永熙博士致辞并作公司和产品介绍

展品图片

现场交流